SOITEC與四聯共同研發氮化鎵晶片以提高LED生產效率
電子及能源產業的半導體材料生產和制造商SOITEC與照明行業的材料、設備和系統供應商重慶四聯光電科技有限公司就共同使用HVPE技術制造氮化鎵(GaN)達成了協議。GaN晶片模板在LED的生產中能大大降低成本。
雙方的合作開發協議旨在使用四聯的藍寶石襯底和SOITEC獨特的HVPE技術來驗證GaN晶片模板生產的可行性并進行商業化生產，雙方計劃今年開始進行GaN晶片模板的樣片生產。
SOITEC表示他們正計劃使用驗證過的硅外延設備，在加入其開發的鎵氣體后，開發出一種高產能的HVPE設備，研發出一種具有快速生長特點的工藝，以降低成本。這種新的工藝使得GaN模板比使用MOVPE的方式更具有成本的優勢。
同時，SOITEC表示HVPE技術的開發引入了一種新的商務模式，它能讓LED制造商節約高達60%的MOVPE產能。除此新的商務模型之外，利用Arizona 的菲尼克斯實驗室附屬機構所獲得的在LED外延生長方面的經驗，SOITEC也在尋找與四聯開展LED照明領域方面的合作。
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