愛思強(qiáng)推出5x200mm硅基氮化鎵生長(zhǎng)設(shè)備AIX G5+
7月24 日，愛思強(qiáng)股份有限公司推出最新產(chǎn)品AIX G5+，為其AIX G5行星式反應(yīng)器平臺(tái)提供5x200 mm硅基氮化鎵生長(zhǎng)專用設(shè)備。基于以客戶為中心的發(fā)展計(jì)劃，愛思強(qiáng)的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室開發(fā)了此技術(shù)并設(shè)計(jì)并制造了此產(chǎn)品，包括特別設(shè)計(jì)的反應(yīng)器硬件和工藝。該產(chǎn)品現(xiàn)已作為AIX G5系列的一部分推出，因此所有現(xiàn)有的G5系統(tǒng)均可升級(jí)至這一新設(shè)備。
愛思強(qiáng)表示硅基氮化鎵技術(shù)是很多新興功率電子器件市場(chǎng)領(lǐng)域的首選技術(shù)，同時(shí)在未來(lái)低成本高性能的高亮度LED產(chǎn)品制造方面擁有良好的前景。芯片尺寸以及材料對(duì)于制造工藝的成本效益至關(guān)重要，因此過(guò)渡到200 mm的標(biāo)準(zhǔn)硅芯片，將以其獨(dú)特的成本優(yōu)勢(shì)成為未來(lái)發(fā)展的合理趨勢(shì)。
愛思強(qiáng)表示經(jīng)過(guò)了反復(fù)的數(shù)值模擬，從而設(shè)計(jì)出能夠與現(xiàn)有的AIX G5反應(yīng)器平臺(tái)兼容，而且足以勝任5x200 mm工藝的獨(dú)特工藝性能的新基本部件。而最終實(shí)現(xiàn)的極其穩(wěn)定的工藝流程提供了較其他任何MOCVD平臺(tái)更為均勻的材料特性以及更高的設(shè)備良率，同時(shí)也擁有 5x200 mm的芯片生產(chǎn)能力。
愛思強(qiáng)的很多客戶特別指出，所有5x200 mm芯片具有完全旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的均勻形狀、標(biāo)準(zhǔn)厚度的硅基襯底以及嚴(yán)格可控的芯片彎曲度，均完全符合他們所需的硅質(zhì)生產(chǎn)需要。
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