中科院“高效氮化物LED材料及芯片關鍵技術”項目順利通過驗收
在“十一五”國家863計劃新材料領域項目的支持下，由中國科學院半導體研究所承擔的“高效氮化物LED材料及芯片關鍵技術”創新團隊項目課題近日順利通過驗收。
針對中國節能減排的重大需求，“高效氮化物LED材料及芯片關鍵技術”創新團隊建成了從半導體照明重大裝備、材料外延、芯片開發到高效大功率封裝及測試分析的完整柔性半導體照明工藝平臺，具有靈活的研發能力與工程化示范能力。
該創新團隊在中國率先突破以氮化物為主的半導體外延材料生長及摻雜、芯片結構設計及機理驗證、測試及封裝等關鍵技術，實現了150lm/w以上的LED高 效發光；成功制備了中國首個300nm以下室溫熒光發光的深紫外UVLED器件，并實現了器件功率的毫瓦級輸出；研制開發了中國首臺48片MOCVD樣 機，經第三方檢測，設備外延的氮化鎵材料，各項性能指標達到了同類國際MOCVD設備的水平。
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