二硫化鉬納米片功函數相關研究獲進展

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哈爾濱工業大學的研究人員在二維二硫化鉬（MoS2）納米片功函數及載流子濃度調控研究方面取得進展，相關論文日前在《美國化學會·納米》刊發。

據介紹，與石墨烯相比，二維MoS2納米片具有合適的帶隙，適用于光檢測等功能器件。金屬電極與MoS2納米片之間的電接觸行為對器件性能的影響很大，研究者需要了解接觸處的能帶排列，因此對MoS2納米片功函數的表征及調控成為最近的研究熱點。

研究人員通過引入具有偶極動量的自組裝單分子層，成功對MoS2納米片載流子及功函數進行了調控，其自組裝單層能夠使得單層MoS2納米片的場效應晶體管極性發生變化。通過調節MoS2納米片的功函數來調控MoS2納米片功能器件中金屬電極與MoS2接觸處的接觸勢壘，能夠指導基于電接觸的功能器件的設計及制備，用于氣敏及光響應器件等領域。

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