大尺寸襯底有效降低LED芯片成本
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大尺寸襯底可以在每個MOCVD輪次中制作更多的芯片，因此采用大尺寸藍寶石襯底是降低LED芯片成本的主要手段之一。由于LED芯片存在邊緣無效區，所以直徑越大，芯片數量比與直徑比的優勢就越明顯。以6英寸襯底為例，表面積是2英寸襯底的9倍，芯片數量卻是2英寸襯底的10.9倍。
在提高芯片得片率的同時，大尺寸襯底還能提高單機芯片產出。由于MOCVD設備價格非常昂貴，所以提高單機芯片產量也是降低LED芯片成本的主要途徑之一。采用大尺寸襯底可以大幅提高每個輪次的芯片產量，采用6英寸襯底每個輪次的芯片產量比2英寸襯底提高55%。
在此基礎上，我們采用改良KY法技術，突破了傳統的C向長晶法，不但將產品做到了大公斤級別，而且晶體品質達到A向長晶同等甚至更優水平。通過對90kg晶體系統的測試及客戶的反饋發現，晶體的性能一致性及穩定性好，開爐合格率高達85%以上，位錯密度差異很小。
A向長晶，C向掏棒，襯底每個點上的生長時間跨度大，張力和應力相差也較大;C向長晶，C向掏棒，襯底上張力和應力都較小。試驗表明，改良KY法 90kg晶體制作的襯底磊晶過程中彎曲度和翹曲度表現優于A向長晶。同時，晶棒最長可超過300mm，對于多線切割機來說正好匹配，無需進行多根晶棒粘結，大大提高切片效率及一致性，節約了成本。
目前，C向長晶最大已經能制作12英寸C向襯底及部件，可以大幅提升LED外延芯片的生產效率和成本競爭力。
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