新加坡開發出新方法提高二硒化鎢的光致發光效率

由新加坡國立大學（NUS）領導的研究小組已經開發出一種提高二維半導體二硒化鎢光致發光效率的方法，為先進的光電子和光子器件等半導體的應用鋪平了道路。

Wee教授闡述了新方法的意義，并說，“這項工作的關鍵是金電漿納米陣列模板的設計。在我們的系統中，可以通過改變泵浦激光器的結構間距，利用不同激光波長調諧共振達到匹配。這對實現以實現最佳的場約束光等離子體激元耦合至關重要。”

NUS科學與工程研究生院（NGS）博士研究生、論文的第一作者王卓女士解釋說，“這是首次證明金電漿納米結構能夠提高二硒化鎢光致發光效率的工作，我們必須設法實現這種納米材料的光吸收和發射效率空前提高。”

二硒化鎢是一種單分子厚的半導體，是一個新興的過渡金屬硫化物（TMDCs）材料，它能將實現光電互轉換，使他們成為光電器件如薄膜太陽能電池、光電探測器柔性邏輯電路和傳感器的有實力的潛在候選人。然而，其原子薄的結構降低了其吸收光譜和光致發光性能，從而限制了其實際應用。