接觸孔是金屬層與有源區(qū)或多晶硅之間的絕緣層的開孔，是一種微電子器件中的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，通常在硅片垂直方向刻蝕形成，用于連接首層金屬互連線和襯底器件，并填充鎢等金屬。它通常應(yīng)用于集成電路制造過程中，作用是實(shí)現(xiàn)電路中不同層之間的電連接。
微電子器件圖片
由于接觸孔的質(zhì)量直接影響到整個(gè)電路的性能和可靠性，所以接觸孔在設(shè)計(jì)和制造時(shí)需要考慮到許多因素，如電性能、熱穩(wěn)定性、機(jī)械強(qiáng)度和可制造性等。為了確保良好的電連接和較低的電阻，接觸孔通常會(huì)填充金屬或其他導(dǎo)電材料。同時(shí)，為了防止機(jī)械損傷和化學(xué)腐蝕，接觸孔的周圍通常會(huì)覆蓋一層保護(hù)層。
硼化鎢圖片
專利號(hào)為CN117238848A的專利顯示，接觸孔結(jié)構(gòu)的形成方法包括：提供具有介質(zhì)層的半導(dǎo)體襯底，在介質(zhì)層中形成有接觸孔；在接觸孔中依次沉積金屬阻擋結(jié)構(gòu)、非晶硅阻擋層、硼硅阻擋層、鎢疊層和鎢碇層，鎢碇層填充接觸孔，鎢疊層包括硼鎢硅膜層和硼鎢膜層，硼鎢硅膜層靠近硼硅阻擋層設(shè)置；平坦化處理所述鎢碇層。本發(fā)明通過非晶硅阻擋層、硼硅阻擋層、硼鎢硅膜層和硼鎢膜層構(gòu)成一含硼的梯度結(jié)構(gòu)，其取得了意想不到的技術(shù)效果是可以有效阻止鎢疊層中的硼向金屬阻擋結(jié)構(gòu)中擴(kuò)散，從而增加了鎢疊層的粘附性，同時(shí)硼鎢硅膜層的硬度提高了鎢疊層的整體硬度，從而避免了研磨工藝中出現(xiàn)的鎢疊層腐蝕問題的發(fā)生。
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