鉬銅合金在電子封裝中扮演著重要的角色，憑借其優異的熱管理能力、匹配性強的熱膨脹系數、良好的機械強度和耐高溫特性，在高功率、高可靠性電子器件中得到廣泛應用。
隨著半導體技術的進步，對封裝材料的要求越來越高，鉬銅仍將是該領域的重要材料之一，并將在未來的封裝技術中發揮更大的作用。其主要優勢如下：
1.熱管理性能優越
鉬銅材料結合了鉬的低膨脹性和銅的高導熱性，使其成為高功率封裝中理想的散熱材料。與鎢銅（W-Cu）相比，鉬銅密度較低，便于輕量化封裝，在航空航天電子中尤為重要。
2.可定制化CTE匹配
鉬銅的成分比例可根據具體應用需求進行調整，使其熱膨脹系數匹配不同的半導體材料，減少熱應力，提高封裝可靠性。
3.耐高溫和耐腐蝕性
相比純銅或鋁，鉬銅在高溫環境下具有更好的穩定性，不易氧化和變形，適用于苛刻環境，如軍用電子、航空航天以及工業功率器件等。
4.優異的機械強度
鉬銅材料的硬度和強度比純銅更高，能提供良好的結構支撐，避免封裝在高應力環境下變形或損壞。
典型應用領域
由于上述優勢，鉬銅合金在以下領域得到廣泛應用：
功率半導體封裝（IGBT、MOSFET、SiC/GaN功率模塊）
射頻與微波器件（5G基站、雷達放大器）
激光與光電子封裝（激光二極管、LiDAR模塊）
航空航天與軍用電子（高可靠性封裝）
高功率LED照明（汽車LED、紫外LED）
