隨著5G通信技術(shù)的快速發(fā)展，基站數(shù)量和功率密度大幅增加，特別是在高頻毫米波段，射頻（RF）模塊的功率損耗顯著提升。由于射頻功放芯片在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量熱量，如果散熱不當(dāng)，可能導(dǎo)致器件性能下降、信號(hào)失真，甚至縮短設(shè)備壽命。
因此，如何有效管理熱量已成為5G基站設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。鉬銅（Mo-Cu）合金因其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、低熱膨脹系數(shù)（CTE）及高穩(wěn)定性，在5G基站射頻模塊的散熱管理中發(fā)揮著重要作用。
5G基站的射頻前端主要包括功率放大器（PA）、濾波器、天線等關(guān)鍵組件，其中功率放大器是主要的熱源。相比4G，5G基站的射頻模塊面臨更嚴(yán)苛的散熱挑戰(zhàn)：
1.高功率密度
5G基站的傳輸功率大幅提高，毫米波頻段（如28GHz、39GHz）功放芯片的功率密度遠(yuǎn)超4G，對(duì)散熱材料提出更高要求。
2.高頻工作環(huán)境
高頻電路對(duì)溫度變化敏感，溫度過(guò)高會(huì)影響射頻信號(hào)穩(wěn)定性，甚至導(dǎo)致增益漂移，影響基站覆蓋范圍。
3.小型化和輕量化設(shè)計(jì)
5G基站采用大規(guī)模MIMO（Massive MIMO）技術(shù)，天線數(shù)量增多，模塊設(shè)計(jì)趨向小型化，使得有效的散熱設(shè)計(jì)更加重要。
4.長(zhǎng)期可靠性需求
5G基站需要在高溫、高濕、風(fēng)沙等惡劣環(huán)境下長(zhǎng)期運(yùn)行，散熱材料必須具備優(yōu)異的耐久性和穩(wěn)定性。
鉬銅合金在5G基站射頻模塊中的應(yīng)用
1.射頻功率放大器（RF PA）基板
射頻功放芯片（如GaN、SiC）的工作溫度可達(dá)150-200°C，如果散熱不及時(shí)，會(huì)影響功率放大器的性能。Mo-Cu基板具有高導(dǎo)熱性和低CTE匹配性，可作為射頻芯片的熱管理基板，提高散熱效率，增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。
2.熱擴(kuò)散片（Heat Spreader）
由于5G基站模塊集成度高，熱量集中，Mo-Cu合金可用作熱擴(kuò)散片，將熱量均勻分布至更大面積，優(yōu)化散熱路徑，防止局部過(guò)熱。
3.天線陣列封裝
5G毫米波天線陣列封裝要求輕質(zhì)、高導(dǎo)熱、低熱膨脹，Mo-Cu合金的特性使其成為理想的天線封裝材料，有助于提升基站的穩(wěn)定性和信號(hào)傳輸質(zhì)量。
4.功率模塊引線框架（Lead Frame）
Mo-Cu合金可作為5G基站功率模塊的引線框架，提高導(dǎo)電性和機(jī)械強(qiáng)度，同時(shí)優(yōu)化散熱性能，減少寄生電感，提高系統(tǒng)效率。
