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飛兆半導體引入碳化硅技術擴展產品創新
作者:ben    文章來源:中國鎢業新聞網    更新時間:2011-4-21 10:47:43

飛兆半導體引入碳化硅技術擴展產品創新


 

   為了滿足半導體應用提高效率和性能的需求,全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收購碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶體管企業TranSiC公司,擴展其領先的技術能力。

  這項收購為飛兆半導體帶來獲經驗證效率的業界領先雙極SiC晶體管技術、寬溫度范圍下的出色表現,以及超越MOSFETJFET技術的卓越性能。飛兆半導體同時借著這項收購獲取經驗豐富的SiC工程師團隊和科學家團隊,以及多項SiC技術專利。

  飛兆半導體公司主席、總裁兼首席執行官Mark Thompson稱:通過綜合SiC技術和飛兆半導體現有的MOSFETIGBT和多芯片模塊方面的能力,以及位于全球的客戶據點,我們擁有足夠實力,繼續擔當創新性、高性能功率晶體管技術的領導廠商。

  飛兆半導體首席技術官Dan Kinzer稱:“SiC技術的高性能水平可以大大提高功率轉換效率。它還提供了更高的轉換速度,可以實現更小的終端系統外形尺寸。碳化硅技術在市場已有 一定地位,特別在寬帶隙領域擁有強大優勢,適合需要600V以上電壓的應用,并展示了出色的穩健性和可靠性。

  SiC技術超越其它技術的優勢包括:

  · 在特定的芯片尺寸下具有較低的導通狀態電壓降

  · 較高的電流密度

  · 較高的工作溫度

  · 極低的熱阻抗

  · 僅有多數載流子傳導,具有超快的開關速度

  · 采用電流增益范圍為100的通常關斷運作(off operation)方式,提供簡便的驅動解決方案

  · 由于采用正溫度系數電阻組件,可以方便地并聯

  另外,這類器件的阻抗非常接近SiC技術的理論極限,并且成功地在25ns的導通和關斷時間范圍內演示了800V下的50A開關運作。這些器件在長期的全額定偏流和電流應力狀況下具有參數穩定性。

  這些高增益SiC雙極器件適合向下鉆探、太陽能逆變器、風能逆變器、電氣和混合動力汽車、工業驅動、UPS和輕軌牽引應用中的大功率轉換應用。市場研究機構Yole Development預計這些市場將于2020年達到接近10億美元的規模。

  這款器件具有業界領先的效率,可將成熟的硅技術器件的相關損耗削減多達50%,或在相同的損耗條件下,將頻率提高多達四倍。SiC器件具有顯著 減小的體積、較少的無源元件,能夠降低總體系統成本和提升價值。對于需要最高效率和功率密度的系統,該器件是無可比擬的首選產品。

  飛兆半導體正在提供針對目標應用的最高50A額定電流的1200V初始產品的樣品,并將于未來開發具有更寬電壓和電流范圍的產品,繼續推動節能工作。

 


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