銅互連圖形的解決方法

去年某材料公司，推出全新的Applied Endura® CirrusTM HTX物理氣相沉積(PVD)*系統，采用突破性硬掩模技術，可支持10納米及更小的銅互連圖形生成。芯片尺寸的不斷縮小需要更先進的硬掩模技術，從而保證緊湊、微型互連結構的完整性。隨著這一全新技術的推出，公司成功延續氮化鈦（TiN*，半導體行業的首選硬掩膜材料）金屬硬掩模，滿足未來先進微芯片銅互連圖形生成的需求。

解決先進互連圖形生成的挑戰是金屬硬掩模精密工程領域的關鍵。

當今的先進微芯片技術能夠將20千米長的銅線裝入100平方毫米的狹小空間內，將其堆疊成10層，在層與層之間有多達100億個通孔或垂直互連。金屬硬掩模的作用是保持這些軟ULK *電介質中的銅線和通孔的圖形完整性。然而，隨著芯片尺寸的不斷縮小，傳統TiN硬掩膜層的壓縮應力可能會導致ULK薄膜中的狹窄銅線圖案變形或倒塌。以Cirrus HTX沉積的TiN硬掩膜則提供了獨特的應力調節功能，這一特殊性能加上良好蝕刻選擇性，實現優異的的關鍵尺寸(CD) *線寬控制及通孔對準，從而提高產品良率。

TiN硬掩模技術的突破主要歸功于硅片生產中的精密材料工程，使其制造出高密度、低應力的薄膜。在久經市場考驗的Endura平臺上，結合了兼具膜厚度均勻性和低缺陷率，Cirrus HTX系統能夠滿足多互聯層圖形生成的大規模量產需求帶來的嚴峻挑戰。