モリブデン添加酸化タングステンエレクトロクロミック薄膜はマグネトロンスパッタリングによって製造することができます。ご存知のように、マグネトロンスパッタリングはITOや金屬接點などの無機材料を基板に薄く塗布する高速技術です。専門家によると、マグネトロンスパッタリング法を用いてモリブデン添加酸化タングステンエレクトロクロミック薄膜を製造する場合、他の非化學量論WOxターゲットを採用し、スパッタリングパラメータをさらに最適化して、より優れたエレクトロクロミック性能を有するエレクトロクロミック膜を得ることができる。
詳細については、
http://www.tungsten-powder.com/japanese/tungsten-oxide.html
さらに、ドープされた酸化タングステンエレクトロクロミック薄膜をより良好なサイクル安定性を得るために、スパッタリング中に基板を加熱して酸素空孔を除去することができる。また、マグネトロンスパッタリングを用いて酸化ニッケルエレクトロクロミック膜を製造する場合、高純度ニッケルターゲットの代わりにクロムまたはマンガンをドープしたニッケルターゲットを用いてドープした酸化ニッケル膜を得ることができ、エレクトロクロミック性能を向上させることができる。同様に、スパッタリング中に基板を加熱して酸素空孔を除去することもでき、それによって薄膜により良好な循環安定性を持たせることができる。
