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エレクトロクロミックスマートウィンドウにおけるWO3エレクトロクロミック薄膜の使用

エレクトロクロミックスマートウィンドウ用WO3エレクトロクロミック薄膜は、電気泳動(dòng)堆積により製造することができる。海外では電気泳動(dòng)堆積による三酸化タングステンエレクトロクロミック薄膜の製造についてより多くの探索がある。中國では、関連研究は相対的に少ない。

エレクトロクロミックスマートウィンドウにおけるWO3エレクトロクロミック薄膜の使用

詳細(xì)については、

http://www.tungsten-powder.com/japanese/tungsten-oxide.html

エレクトロクロミックスマートウィンドウにおけるWO3エレクトロクロミック薄膜の使用

しかし、現(xiàn)在のところ、電気泳動(dòng)堆積による三酸化タングステン薄膜の製造に関する研究はまだ少ない。例えば、ある大學(xué)の學(xué)者は電気泳動(dòng)堆積WO3ゾルによる三酸化タングステン薄膜の製造を研究した。彼らは電流密度、ゾル沈殿時(shí)間、ゾル濃度及びゾルpH値がWO3薄膜の厚さに與える影響を討論した。堆積過程におけるフィルムの厚さと電流密度がフィルムと基材との接著性に與える影響も研究した。一部の専門家はまた、「改良された電著法」を用いて酸化タングステン薄膜を製造し、薄膜の後酸素処理方法、及び後酸素処理?xiàng)l件が薄膜の電気化學(xué)特性、特に赤外反射率に與える影響を研究した。この方法で処理された薄膜は8%の赤外反射変調(diào)能力を有する。

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