フッ素添加セシウムタングステン青銅は、斷熱母粒子を製造し、次いで斷熱膜を製造するために使用することができる。専門家によると、HF添加量の増加に伴い、フッ素添加セシウムタングステン青銅のエネルギーバンドギャップが青方偏移する。でもどうして？
詳細については、
http://cesium-tungsten-bronze.com/japanese/index.html
専門家によると、これはフッ化物イオンがWO3格子にドーピングされているためだという。六角形タングステン青銅は直接エネルギーバンドギャップを持つことが報告されている。［WO6?xFx］八面體では、Fの2p軌道とOの2p軌道は著しく混成しており、フッ素はより高い電気陰性性を持つため、［WO6?xFx］八面體の価電子帯から伝導帯への遷移は［WO6］八面體よりも高いエネルギーを必要とする。したがって、Fドーピングはセシウムタングステン青銅のエネルギーバンドギャップを増加させる。また、2つのフッ素ドープ量が類似しているふっ素セシウムドープタングステンブロンズ試料はほぼ同じエネルギーバンドギャップを持っているが、1つの試料はより良い可視光透過率を示している。これは、均一なナノロッド構造が可視光の散亂を減少させるため、サンプルの1つがより良好な可視光透過率を持つことになるからである。
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