三酸化タングステンはエレクトロクロミック材料であり、真空共蒸発法、マグネトロンスパッタリング法、真空電子ビーム蒸発法、化學めっき法、陽極酸化法、化學蒸著法及びゾル?ゲル法により製造することができ、窓型エレクトロクロミック裝置の製造に用いることができる。
詳細については、
http://www.tungsten-powder.com/japanese/tungsten-oxide.html
窓型エレクトロクロミック素子は、単層エレクトロクロミック裝置と二層エレクトロクロミック素子の2種類に分けることができる。単一のエレクトロクロミックデバイスとは、エレクトロクロミック材料のみを含むエレクトロクロミックデバイスであり、以下の基本コンポーネントを含む：
1.0基板上に堆積された導電層は、動作電極基板と対極として、
2.0二層型が動作電極と対向電極にそれぞれ変色層を有するエレクトロクロミック層、
3.0電解質層、多くは液狀リチウム塩溶液であり、通常はエポキシ樹脂などの接著剤を使用して、電解質材料が漏れないようにする。
電気化學反応において、導電層はエレクトロクロミック材料に補償イオンを提供し、基材と同様に通常良好な光透過性を有する。電解質材料は2つの電極間のイオン移動を促進し、回路の連通を確保する。
