酸化タングステン粉末は、光學バンドギャップが約3.00 eVであり、非標準化學量論比を形成しやすいワイドバンドギャップ半導體である。酸化タングステン薄膜を作製し、次いでエレクトロクロミック素子を組み立てるために使用することができる。製造されるデバイスの性能は、原料酸化タングステンの製造方法及び條件に大きく依存する。
詳細については、
http://tungsten-oxide.com/japanese/index.html
このうち、専門家によると、注入イオンは半導體ドーピングに相當し、WO 3薄膜を有色狀態にし、透明から紺色に変える。その室溫伝導率は10 ^-10 s/cmから10 ^ 3 s/cmに変化することができ、屈折率は1.75から2.8に変化し、光學バンドギャップは2.9 eVから3.2 eVに増加し、エレクトロクロミック効率とエレクトロクロミック応答に顕著な変化をもたらす。すなわち、半導體ドーピングまたはイオン注入により、酸化タングステンエレクトロクロミック素子のエレクトロクロミック性能を向上させることができる。
