三酸化タングステン粉末はエレクトロクロミックガラスエレクトロクロミック層を製造する重要な原料である。専門家によると、WO3はECガラスを組み立てるための主要なエレクトロクロミック材料である。得られたWO3薄膜には通常、Ni、V及びTiO2がドープされ、その性能を向上させる。現在、機能材料としてWO3を用いたエレクトロクロミックデバイスが工業化しつつある。
詳細については、
http://tungsten-oxide.com/japanese/index.html
専門家はまた、現在、我が國のエレクトロクロミック知能ガラスに対する研究はまだ探索段階にあり、構造中の各層に選択された材料は依然として大量の研究中であると紹介した。ITOは透明導電層材料の最適な材料であることが報告されている。NiOxは最も研究されているイオン貯蔵層材料である。固體リチウム塩は主に電解質層材料として研究されている。しかし、固體リチウム塩はスパッタリング中にターゲットの電気伝導率、スパッタリング速度、耐高溫性などの要素の影響を受け、これは大面積エレクトロクロミックガラスの生産を制約する鍵である。要するに、全固體無機序エレクトロクロミックガラスはエレクトロクロミックデバイス分野の焦點である。
