Ｔｉドープ酸化タングステンの特性は、純粋な酸化タングステンの特性よりも優(yōu)れている。 具體的には、何人かの専門(mén)家はマグネトロンスパッタリング法を使用してＴｉドープ酸化タングステン膜を調(diào)製した。
ＴｉドープナノＷＯ ３膜は、結(jié)晶化度、結(jié)晶粒微細(xì)化、およびゆるい格子構(gòu)造の度合いが低いため、イオン抽出および注入のためのチャネルが大幅に増加し、電気的応答速度が増加し、サイクル壽命が４倍以上改善される。 その可視光線透過(guò)率は、アンドープと比較して減少しています。
詳しくは、次のURLをご覧ください。
http://tungsten-oxide.com/japanese/index.html
これは、Ｔｉの原子半徑がＷの原子半徑と大きく変わらないためであると専門(mén)家らは述べている。したがって、ＴｉにＷＯ ３をドープすると、変位反応が起こりやすくなり、ＷＯ ３の格子構(gòu)造が変化し結(jié)晶欠陥が減少する。 酸化タングステン中にＴｉをドープすることは、そのエレクトロクロミック特性を変化させ、その電気的応答速度を加速し、そしてサイクル壽命を延ばすことができる。
