密歇根大學的梁曉甘教授團隊對多層二硒化鎢（WSe2）晶體管的異常電荷捕獲現(xiàn)象以及記憶特性進行的研究表明，由機械剝離的多層二硒化鎢制成的晶體管中，他們可以激發(fā)出具有大間隔、長保持時間和模擬可調諧性的多重電荷捕獲態(tài)。
二硒化鎢晶體管這種獨特的電荷捕獲特性主要歸因于多層二硒化鎢切割表面由機械剝離誘導的層間變形，這些形變可進一步自發(fā)形成雙極性的電荷捕獲位點。梁曉甘教授團隊通過表面表征、不同溫度下的電荷保持特性測量以及密度泛函理論計算等多種方法進一步支持該結論。而在具有類似材料結構的二硫化鉬（MoS2）中，他們卻沒有觀測到類似的電學現(xiàn)象。
在二維半導體材料中，相比于石墨烯的零能帶隙，二硫化鉬存在可調控的能帶隙，因此，在納米晶體管領域擁有很廣闊的應用空間；而相比于硅材料的三維體相結構，類石墨烯二硫化鉬具有納米尺度的二維層狀結構，可被用來制造半導體或規(guī)格更小、能效更高的電子芯片，在能量存儲以及納米電子設備領域具有廣發(fā)那個的應用空間。
而在梁曉甘教授團隊的研究當中還表明，在不同二硒化鎢晶體管中激發(fā)的電荷捕獲態(tài)可以得到統(tǒng)一校準，作為多位數(shù)據(jù)態(tài)存儲于記憶元器件中。這些研究成果使得對他們二維半導體材料中的電荷存儲機制有了更深入的了解，并且進一步證明所觀察到的電荷捕獲態(tài)可以用于實現(xiàn)新型低成本模擬存儲器件技術。
