6N鎢靶材指的是純度為6N的鎢靶材，首先是由一家日本公司研制出來的。經高溫處理后，該類靶材材料具有良好的耐熱性和與氧化鉭的相容性，可用于取代二硅化鉬（MoSi2）和二硅化鎢（WSi2）作為布線材料。
由日本公司研制得到的6N鎢靶材的直徑為300mm，其中鈉和鉀的含量各低于10x10-9，鐵、鎳、鉻、銅、鋁的含量各低于200X10-9，鈾和釷的含量低于0.2X10-9，氧低于80X10-6，金屬雜質總量低于1X10-6。
隨著半導體集成電路的集成度越來越高，半導體電路中晶體管和線路的尺寸越來越小，對所用的鎢等材料的純度要求也越來越高。大規格集成電路制造中所使用的純鎢靶材的純度要求達到99.999%（5N）以上，甚至達到99.999%（6N）。除了總雜質含量要越低越好之外，金屬鎢中存在的個別雜質元素對半導體集成電路也存在著不利的影響。因此必須對原材料中該類元素的含量進行控制。
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